ESD靜電整改常見問題:
大多數(shù)半導(dǎo)體器件容易被靜電放電損壞，尤其是大規(guī)模集成電路器件。靜電對(duì)設(shè)備造成的損害有兩種：顯性和隱性。當(dāng)時(shí)看不到隱性損傷，但在超壓和高溫條件下，裝置變得更加脆弱，容易損壞。靜電放電的兩種主要失效機(jī)制是：ESD電流產(chǎn)生的熱量導(dǎo)致設(shè)備熱失效；靜電放電引起的高電壓導(dǎo)致絕緣擊穿。

ESD放靜電除了容易造成電路損壞外，還會(huì)對(duì)電子電路造成干擾。干擾靜電放電電路有兩種方式。一種是傳導(dǎo)模式。如果電路的某一部分構(gòu)成放電路徑，即ESD連接到入侵設(shè)備的電路，ESD電流流經(jīng)集成芯片的輸入端，造成干擾。ESD干擾的另一種方式是輻射干擾。也就是說，靜電放電發(fā)生時(shí)，火花產(chǎn)生峰值電流，其中含有豐富的高頻成分。從而產(chǎn)生輻射磁場(chǎng)和電場(chǎng)，磁場(chǎng)可以在附近電路的每個(gè)信號(hào)回路中感應(yīng)出干擾電動(dòng)勢(shì)。干擾電動(dòng)勢(shì)很可能超過邏輯電路的閾值水平，導(dǎo)致誤觸發(fā)。輻射干擾還取決于電路和靜電放電點(diǎn)之間的距離。ESD產(chǎn)生的磁場(chǎng)隨著距離的平方而衰減。ESD產(chǎn)生的電場(chǎng)隨距離呈立方衰減。距離近的時(shí)候，電場(chǎng)和磁場(chǎng)都很強(qiáng)。當(dāng)發(fā)生ESD時(shí)，附近位置的電路通常會(huì)受到影響。ESD在近場(chǎng)，輻射耦合的基本模式可以是電容或電感，這取決于ESD源和接收器的阻抗。遠(yuǎn)場(chǎng)有電磁場(chǎng)耦合。與ESD相關(guān)的電磁干擾能量的上限頻率可超過1GHz。在這個(gè)頻率下，典型的設(shè)備電纜甚至印刷電路板上的走線將成為很有效的接收天線。因此，對(duì)于典型的模擬或數(shù)字電子設(shè)備，ESD會(huì)產(chǎn)生高電平噪聲。一般而言，為了造成損壞，ESD電火花必須直接接觸電路線路，而輻射耦合通常只會(huì)導(dǎo)致故障。在ESD的作用下，電路中的器件在通電條件下比斷電條件下更容易損壞。

措施：

(1)在敏感的CMOS和MOS器件中加入保護(hù)二極管；

(2)敏感傳輸線(包括接地線)上的數(shù)十歐姆的串電阻或鐵氧體磁珠；

(3)采用靜電防護(hù)表面涂層技術(shù)，ESD不易放電，已被證明很有效；

(4)盡可能使用屏蔽電纜；

(5)在敏感界面安裝過濾器；并隔離不能安裝過濾器的敏感接口；

(6)選擇脈沖頻率低的邏輯電路；

(7)外殼屏蔽和良好的接地